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英特爾晶片3D突破極速兼慳電


http://paper.wenweipo.com   [2011-05-06]     我要評論

 全球最大晶片製造商英特爾前日宣布推出革命性3D晶體管「Tri-Gate」,成為上世紀50年代2D矽晶體管問世後最大突破。首款使用Tri-Gate為22納米(1納米=10億分之1米)的微處理器「Ivy Bridge」。與採用2D晶體管的32納米晶片相比,Ivy Bridge在低電壓下,性能可提高37%,完成同樣工作耗電量可降低一半,非常適用於智能手機和平板電腦等手提電子裝置。新晶體管亦加強英特爾搶攻智能裝置零件市場的競爭力。

 英特爾表示,經10年開發後,Tri-Gate終於面世。3D晶體管比2D多出一個垂直結構(維度),使晶片中的晶體管更緊密地封裝,如同摩天大廈向高空拓展,更有效地利用城市空間。而Ivy Bridge料將於年底量產,明年應用在電腦和智能手機等裝置。

 向英特爾供應製造設備的應用材料公司宣布,將以49億美元(約381億港元)收購Varian Semiconductor Equipment,具備處理比目前22納米晶片更複雜晶片的能力。 ■《華爾街日報》/英國《金融時報》/美聯社/新華社

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