台研發超節能記憶體 9納米全球最小

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　■「國研院」納米元件實驗室的何家驊，帶領研究團隊研發全球最小的「 9納米超節能記憶體」。 中央社

　據中通社14日電　台灣「國研院」納米（台稱：「奈米」）元件實驗室領先全球，開發出全球最小的9納米功能性電阻式記憶體（R-RAM）陣列晶胞；這個新記憶體在幾乎不需耗電的情況下，1平方公分面積內可儲存1個圖書館的文字資料，將讓資訊電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性，這項技術預計在5到10年內進入量產。

　台灣「國研院」院長陳文華，以及負責「9納米超節能記憶體」開發的何家驊博士14日召開記者會，公布這項重大研究成果。

　何家驊指出，隨著可攜式3C產品對體積越來越小以及容量越來越大的需求日益增加，如何能研發出體積更小、記憶量更大的記憶體，是全球研究人員努力的目標。

　如今台灣領先全球開發出最小的9納米功能性電阻式記憶體（R-RAM）陣列晶胞，容量比現時的快閃記憶體增大20倍，但耗電量卻降低了200倍，應用這個技術在1平方公分面積下，可以儲存1個圖書館的文字資料，而且可再藉立體堆疊設計，進一步提升容量，讓資訊電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性。

料最快5年內量產

　這項重要開發成果，已於12月8日在美國舊金山舉行的國際電子元件會議（IEDM）正式發表，引起國際微電子產學研界高度重視。

　何家驊預料，這項新技術5到10年內量產，屆時將可對全球新台幣1兆元的傳統快閃記憶體產生重大貢獻，也希望這項技術能在2025年時有機會協助台灣於全球快閃記憶體的市場佔有率提升至10%以上的產值。