Primo Twin-Star(r) 。受訪者供圖香港文匯報訊（記者 賀鵬飛 南京報道）本次中微公司發布的Primo Twin-Star(r)是基於其已成熟的單台反應器的電感耦合等離子體刻蝕技術和雙台反應器的Primo平台，並創新使用了雙反應台腔體設計和低電容耦合3D線圈設計，創新的反應腔設計可最大程度減弱非中心對稱抽氣口效應，通過採用多區溫控靜電吸盤（ESC）增強了對關鍵尺寸均勻性和重複性的控制。
與其他同類設備相比，Primo Twin-Star(r) 以更小的佔地面積、更低的生產成本和更高的輸出效率，進行ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質和導體的各種刻蝕應用，並用於功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應用。由於Primo Twin-Star(r)反應器在很多方面採取了和單台機Primo nanova(r)相同或相似的設計，在眾多的刻蝕應用中，Primo Twin-Star(r)顯示了和單台反應器相同的刻蝕結果。這就給客戶提供了高質量、高輸出和低成本的解決方案。
