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香港文匯報訊 外電報道指，英特爾（Intel）昨稱未來幾年公司或將投資至多55億美元（約349.38億元人民幣），以擴大公司在中國大連工廠的非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory）的製造產能。
非揮發性記憶體是指當電流關掉後，存儲在記憶體裡的資料不會消失。這種記憶體有廣泛用途，比如辨識金融交易詐騙模式、即時追蹤疾病等。
英特爾稱，3D NAND技術可能亦將於2016年下半年在大連工廠投入初產，該技術是英特爾與美光科技（Micron Technology）聯合開發的。
英特爾一直指望其數據中心業務，幫助抵消個人電腦晶片需求下滑的影響，後者是英特爾最大的收入來源。
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