●設備是限制中國芯片產業發展的主要瓶頸。圖為中科院微電子所高頻高壓中心科研人員正進行低損傷刻蝕技術測試。 資料圖片中微首台新設備已交付客戶 良率穩定輸出效率更高
香港文匯報訊（記者 賀鵬飛 南京報道）中國半導體芯片設備龍頭企業中微公司16日宣布，其新一代電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備Primo Twin-Star(r)已交付客戶投入生產，良率穩定。和國內外同類設備相比，這一刻蝕設備能以更小的佔地面積、更低的生產成本和更高的輸出效率，為邏輯芯片和存儲芯片等應用提供高性價比的刻蝕解決方案，可謂國產芯片刻蝕設備的又一重大突破。
中國半導體行業協會副理事長、清華大學微電子學研究所所長魏少軍曾分析指出，從芯片產業五大板塊來看，目前中國在設計和封測領域已經走在世界前列，製造領域和國際先進工藝的差距也正在縮小，關鍵是產業鏈上游的材料和設備兩個領域差距太大。
其中，芯片材料落後的主要原因是前期整體投入不夠，但是近些年取得了長足進步，保持了快速發展勢頭。從長遠來看，設備才是限制中國芯片產業發展的主要瓶頸。
同公司設備廣獲國際應用
而在芯片設備的細分領域，光刻機、刻蝕機和MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積）設備因為技術和生產工藝極為複雜，被並稱為半導體工藝三大關鍵設備。其中，近幾年廣受輿論關注的光刻機只有少數幾家公司能夠製造，荷蘭ASML、日本Nikon和日本Canon三大品牌位居前三，最頂尖的EUV（極紫外）光刻機則被ASML壟斷，一台售價超過10億元人民幣。
中國在光刻機領域嚴重落後，已經實現量產的國產光刻機中，技術最先進的是上海微電子設備的90納米光刻機，無法滿足先進製程的芯片製造，與ASML最先進的5納米光刻機相距甚遠。
不過，目前中國在刻蝕機和MOCVD設備領域已躋身國際先進水平，並在全球市場佔有一席之地。中微公司開發的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用於國際一線客戶從65納米到5納米工藝的眾多刻蝕應用。同時，中微公司開發的用於LED和功率器件外延片生產的MOCVD設備已在客戶生產線上投入量產，並在全球氮化鎵基LED MOCVD設備市場佔據領先地位。
已收到國內領先客戶訂單
「現在的製造商對於生產成本日益敏感，我們的目標是為客戶提供技術創新、高生產率和高性價比的ICP刻蝕解決方案。」中微公司集團副總裁兼等離子體刻蝕產品事業總部總經理倪圖強博士說，Primo Twin-Star(r)設備已在各類前道/後道製程、用於功率器件和CIS應用的深溝槽隔離刻蝕（DTI）中表現出卓越的性能。通過提供兼具這些優異性能和高性價比的解決方案，該設備不僅幫助客戶解決了技術難題，同時最大程度地提升了其投資效益。
據悉，Primo Twin-Star(r)刻蝕設備已收到來自國內領先客戶的訂單，且首台設備已交付客戶投入生產，良率穩定。目前，中微公司還在進行用於不同刻蝕應用的多項評估。